تحلیل و طراحی تغییر دهنده فاز N - بیتی MEMS توزیع شده در باند Ka

در این مقاله تحلیل و طراحی تغییر دهنده های فاز میکروالکترومکانیکی توزیع شده بر روی موجبر هم صفحه ارائه می شود. یک تغییر دهنده فاز n بیتی با استفاده از خازنهای متغیر یا سوئیچ MEMS که بطور متناوب بر روی موجبر هم صفحه واقع شده اند ساخته می شود. با تغییر ظرفیت توسط ولتاژ بایاس؛ خازن موثر خط انتقال تغییر کرده و در نتیجه یک ساختار آهسته کننده موج بوجود می آید. مدل دقیق تغییر دهنده فاز با استفاده از تحلیل موجی کامل الکترومغناطیسی وتئوری مدارهای مایکروویو امکان پذیر است. با استفاده از روش اجزاء محدود توسط شبیه ساز ساختارهای فرکانس بالا ( HFSS ) میدانها در سلول واحد محاسبه می گردد. با معلوم بودن میدانها پارامترهای S و نیز حساسیت آنها نسبت به ابعاد فیزیکی بدست می آید. از نتایج حاصل؛ طراحی تغییر دهنده فاز n بیتی با مفهوم مدارهای مایکروویو انجام می گیرد. در نهایت عملکرد تغییر دهنده فاز در تمام حالتها در باند Ka بررسی می شود.